eda和中国芯哪个好

‘壹’ 中国半导体行业何时才能超越台积电，制造出属于自己的中国芯

制造出属于自己的中国芯，估计再过20年吧。中芯国际最早在2035年才能追平台积电，让中国就有了自己的3纳米以下芯片，和美国、韩国以及中国台湾也有的并非自己的3纳米以下芯片同为全球顶级，中国不再只有7、5纳米这样的属于自己的芯片；至少再过5年才能超越台积电，独自登顶全球芯片制造，让中国独有了属于自己的1纳米以下芯片。

从此，哪个环节和领域的中国芯片企业就都不会再出现被卡脖子的情况，美国及其盟国盟友根本就没有这样的机会了。当然，中国不会去卡别国包括美国及其盟国盟友的芯片企业的脖子，而是一如既往、不计前嫌地推动国内芯片企业去主动积极地提供最好的服务，其结果将是提升全球供应链的水平。

‘贰’ 中国芯现状如何

1. 国产芯片目前能生产的纳米级别普遍为90纳米。
2. 在芯片制造的关键环节中，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占据重要地位。
3. 在光刻机设备领域，上海微电子目前能够提供90纳米级别的光刻机。
4. 在光刻胶方面，高端的KrF和ArF光刻胶几乎全部依赖进口，ArF光刻胶的国产化率几乎为零。
5. 因此，我国若要实现高度国产化的芯片生产，目前的技术水平以90纳米为一个分界点。
6. 然而，芯片设计所使用的EDA设计软件及其他电子化学气体材料的国产化程度并不高，EDA软件的国产率不到2%。
7. 90纳米工艺的芯片相当于2004年的半导体工艺水平。例如，2007年苹果公司上市的第一代iPhone就使用了90纳米的处理器。
8. 尽管如此，这样的技术水平仿佛让人瞬间回到了15年前的科技时代，但这只是一种极端的假设。
9. 我国半导体产业链并非如此不堪，在某些环节、技术和设备方面，如芯片设计、人工智能、大数据、5G、蚀刻机等方面已经达到国际水平。
10. 换句话说，我国半导体产业的基础虽然存在一些短板，但这并不代表整体实力被削弱。